Laserske čistilne rešitve za industrijo polprevodnikov

Ker se polprevodniška tehnologija še naprej krči, so se napredna integrirana vezja preoblikovala iz ravninskih v tridimenzionalne strukture. Proces izdelave integriranih vezij postaja vse bolj zapleten in pogosto zahteva več sto ali celo tisoče procesnih korakov. Pri napredni proizvodnji polprevodniških naprav bo po vsakem postopku na površini silicijeve rezine več ali manj trdnih onesnaževal, kovinskih ostankov ali organskih ostankov. Zaradi nenehnega zmanjševanja velikosti funkcij naprav in vse večje kompleksnosti tridimenzionalnih struktur naprav so polprevodniške naprave vse bolj občutljive na kontaminacijo z delci, koncentracijo in količino nečistoč.

Za tehnologijo čiščenja kontaminiranih delcev na površini maske silicijevih rezin so bile postavljene višje zahteve. Ključna točka je premagati ogromno adsorpcijsko silo med onesnaženimi delci in substratom. Trenutno mnogi proizvajalci polprevodnikov uporabljajo metode čiščenja s kislino. Umivanje in ročno brisanje nista le neučinkovita, ampak povzročata tudi sekundarno onesnaženje. Kakšna metoda čiščenja je torej trenutno primernejša za čiščenje polprevodniških izdelkov? Lasersko čiščenje je trenutno primernejša metoda. Ko laser skenira, bo odstranjena vsa umazanija na površini materiala in umazanija v režah. Lahko se enostavno odstrani, ne bo opraskal površine materiala in ne bo povzročil sekundarnega onesnaženja. To je varna izbira.

Poleg tega, ker se velikost naprav z integriranim vezjem še vedno manjša, sta izguba materiala in hrapavost površine med postopkom čiščenja postala težava, na katero je treba posvetiti pozornost. Odstranjevanje delcev brez izgube materiala in poškodb vzorca je najosnovnejša zahteva. Tehnologija laserskega čiščenja ima edinstven kontakt, brez termičnega učinka, brez poškodb površine predmeta, ki ga čistimo, in brez sekundarnega onesnaženja, kar so neprimerljive prednosti tradicionalnih metod čiščenja. Je najboljša metoda čiščenja za reševanje onesnaženosti polprevodniških naprav.